双端口RAM
拥有两个端口，可以同时访问不同的地址单元。
当连个端口访问同一个地址单元时：
- 两个端口不同时对同一地址单元存取数据 ✔
- 两个端口同时对同一地址单元读出数据 ✔
- 两个端口同时对同一地址单元写入数据 ❌
- 两个端口同时对同一地址单元，一个写入数据，另一个读出数据 ❌
可以通过忙信号解决这一问题，当有忙信号时，暂时关闭其中一个端口。
多模块存储器
单体多字存储器
- 每个存储单元内存储m个字
- 总线宽度为m个字
- 一次并行读/写m个字
优缺点
- 优点
- 提高了带宽，增加了读写速度
- 缺点
- 指令和数据在主存内必须是连续存放的
- 对转移指令、不连续操作数据效果不明显
多体并行存储器
有多个存储模块，每个存储模块有相同的容量和存取速度；单独的读写控制器、地址寄存器和数据寄存器。
能并行工作，也能交叉工作
下面举例都是假设T = 4r, 其中r是存入时间，3r是恢复时间
高位交叉编制（也称顺序存储）
编码中前2位作为区分是第几个存储体，后三位是体内偏移地址，从上往下0,1,2……7
连续访问时还是在一个模块内进行，实际上仅仅实现了扩容，不能提高访问速度。
高位交叉编制不满足程序的局部性原理。
低位交叉编制（也称交叉存储）
后2位作为存储体编号，前3位作为体内偏移地址
当连续访问时，在多个模块间切换，提高了吞吐效率。
低位交叉编制满足程序的局部性原理。
举例：如何求带宽
例：模块数 ( m = 4 )，存储周期为 ( T )，字长 ( w )，数据总线宽度为 ( W )，总线传输周期为 ( r )，连续存储 ( n ) 个字，求交叉存储器的带宽。
连续存储 ( n ) 个字耗时： \(T + (n-1) \times (T + r)\) 前提： \(W \geq m \times r \times T\)
带宽： \(\frac{n \times W}{T + (n-1) \times (T + r)}\)
当 ( n ) 较大时，带宽趋近于： \(\frac{W}{r}\)
单个存储体的带宽： \(\frac{W}{T}\)